图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| 系列 | FDMC8884 |
| RDS（ON） | 19 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 18 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | MLP 3.3 x 3.3 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 5 nC, 10 nC |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 8-MLP (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 19 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 685pF @ 15V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Ta), 15A (Tc) |
| 其他名称 | FDMC8884_F126TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 19 mOhms |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Qg - Gate Charge | 5 nC, 10 nC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| 身高 | 0.8 mm |
| 长度 | 3.3 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 18 W |
| 技术 | Si |
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